重新定义
cmp研磨垫

3m™ trizact™ 研磨垫在半导体制造过程中呈现高度一致的性能和研磨效率。

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3m™ trizact™ 研磨垫有创新的表面沟槽及不互相干扰的研磨图案设计,此图为光学显微镜下的影像。

3m™ trizact™ cmp 研磨垫,抛光垫 -九游会国际

随着像是物联网、智慧城市、行动通讯、边缘运算等驱使世界的趋势,半导体日渐增长的记忆体和速度的需求。瓶颈来自于半导体制造过程中的化学机械抛光(cmp)从需求到良率的持续提升,使得半导体厂无法容忍元件可靠度变异。

3m利用3m™ trizact™ 研磨垫重新定义研磨垫产品,确保半导体cmp化学机械抛光制程的稳定性和一致性。

  • 先进节点的高级效能

    3m™ trizact™ cmp研磨垫结合了3m在造模、表面改质和微复制方面的科学技术,为先进节点的半导体制造提供了cmp化学机械拋光的创新研磨垫。

    • 利用设计精准的三维微复制粗糙突起和孔隙,来界定cmp研磨垫的纹理,并帮助确保cmp研磨垫对研磨垫效能的一致性 — 达到先进节点cmp制程的要求。
    • 粗糙突起和孔隙被安排于独立的隔间,来确保晶片上的压力一致。
    • 我们高度可控的微复制制程可完成可复制且可调谐的cmp研磨垫。

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降低变异性,提高重复性 — 3m™ trizact™ cmp研磨垫改善晶圆良率

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  • 一致性

    3m™ trizact™ 研磨垫采用我们专有的微复制制程,为了您所需要的cmp化学机械抛光效能所设计,最后呈现良好一致性的研磨垫。

    • cmp化学机械抛光中的一致性
    • 每片一致的表面图案
    • 研磨垫使用期间达到研磨使用过程中的稳定性
  • 提升良率

    一致与可重复的cmp化学机械抛光效能可提升晶圆良率。3m™ trizact™ 研磨垫有助于提升cmp化学机械抛光效率、降低晶圆缺陷并提升生产力与产量。

    • 提升平坦化效率来以符合cmp先进制程节点的需求
    • 降低晶圆浅碟型与腐蚀型凹陷现象
    • 减少研磨垫产生的碎屑,可降低晶圆缺陷
  • 减少cmp耗材

    我们专有的显微复制技术提供了较长研磨垫寿命,无须使用钻石研磨垫修整器。

    • 降低金属污染的风险
    • 降低晶圆生产成本
    • 延长研磨垫寿命,增加机台使用时间

  • 3m™ trizact™ 研磨垫的精准设计三维显微复制表面粗糙特征

    显微复制技术 — 微观世界的一致性

    3m™ trizact™ 研磨垫使用3m核心平台中的「显微复制技术」。此技术让我们能精准地雕刻微小特征,达成极高的表面一致性。此技术最初是因投影机的光线调控特性所诞生,现已延伸至3m成千上万的产品。


电化学学会(ecs)发布的技术论文,2016年8月

用于w-cmp的微复制垫

  • 芯片颗粒内部不均匀性(widnu),由3个不同器件之间的栅极高度范围,以及3个不同器件之间栅极顶部的电介质厚度范围(即ts电介质)决定。本文选取了晶圆的一颗中心颗粒,一个中部颗粒和一个边缘颗粒,分别用por研磨垫和mr pad进行抛光,并之后进行tem横截面分析,从中进行栅极高度和电介质厚度的测量。

  • 作者:wei,kaushik mohan,ricky hull,james hagan,connie truong,duy k.lehuu 和 david muradian

    一种微复制抛光垫(mr pad),表面具有大范围可调节的、经过有序加工的空隙和突起构成的规则图案,可用于3盘(platen)的w-cmp抛光工艺,用于14 nm替换金属栅极(rmg)和沟槽自对准硅化物(ts)的平坦化。这种新的研磨垫不需要传统钻石研磨盘来修整,并且能够以维持高可重复性的去除率,持续研磨多达2000次晶圆,同时保持较低且一致的缺陷和晶圆内均匀性(wiwnu)。 mr pad还具有减小芯片颗粒内部不均匀性(widnu)的独特优势,如栅极电导率测试所示,并通过横截面tem的物理厚度测量得到证实。

    此外,可以极大地减少由图形引起的缺陷。 本文将阐明mr pad独特性能的机理,并将讨论这种新的cmp研磨垫技术的重要性。


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